5SHX2645L0004 3BHL000389P0104 3BHB003154R0101 5SXE04-0150/GVC707AE01 ABB
ABB可控硅模块5SHX2645L0004 3BHL000389P0104控制器
IGCT是GCT(门极换流晶闸管)和集成门极驱动电路的合称，其具有GTO高阻断能力和低通态压降，以及和IGBT相同的开关性能，是一种较理想的兆瓦级、中压开关器件，广泛应用于大功率中压变流器。基本工作原理如下：
当IGCT工作在导通状态时，是一个像晶闸管一样的正反馈开关，其特点是携带电流能力强和通态压降低。在关断状态下，IGCT门–阴极间的pn结提前进入反向偏置，并有效地退出工作，整个器件呈晶体管方式工作，该器件在这两种状态下的等效电路图，IGCT关断时，通过打开一个与阴极串联的开关(通常是MOSFET)，使P基极n发射极反偏，从而迅速阻止阴极注入，将整体的阳极电流强制转化成门极电流(通常在ls内)，这样便把GTO转化成为一个无接触基区的PNP晶体管，消除了阴极发射极子收缩效应。这样，它的最大关断电流比传统GTO的额定电流高出许多。由于IGCT在增益接近1时关断，因此，保护性的吸收电路可以省去。
Because IGCT turns off the anode current in transistor mode in the state of open base,the so-called”GTO”state can be avoided,higher anode voltage rise rate is allowed in the turning off process,and the turning off action is very reliable.Therefore,IGCT has both low on state voltage drop and high blocking voltage of thyristor and stable turning off characteristics of transistor,and is an ideal high-power semiconductor switching device.Since the gate drive circuit must rapidly transfer all the positive current during the off process.Therefore,IGCT design must adopt gate drive circuit with relatively low inductance.In practice,multi-layer wiring printed circuit board can be used according to the device requirements.In conclusion,IGCT has the following characteristics:the turn off time of IGCT circulation can be reduced to less than 1 s,which lays a foundation for realizing simple and durable high-voltage series connection;Because IGCT can work very evenly,the loss of absorption circuit and inverter can be significantly reduced or ignored;Because the gate off charge is low,the gate driving power can be significantly reduced.
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