5SHY4045L0003 3BHB021400 3BHE019719R0101 GVC736BE101 ABB
5SHY4045L0001 3BHB018162R0001集成栅极换流晶闸管IGCT(Intergrated Gate Commutated Thyristors)是1996年问世的用于巨型电力电子成
套装置中的新型电力半导体器件。IGCT是一种基于GTO结构、利用集成栅极结构进行栅极硬驱动、采用缓冲层结构及阳极透明发射极技术的新型大功
半导体开关器件,具有晶闸管的通态特性及晶体管的开关特性。5SHY4045L0001 3BHB018162R0001由于采用了缓冲结构以及浅层发射极技术,
因而使动态损耗降低了约50%，另外，此类器件还在一个芯片上集成了具有良好动态特性的续流二_极管，从而以其独特的方式实现了晶闸管的低通态
压降、高阻断电压和晶体管稳定的开关特性有机结合.
IGCT使变流装置在功率、可靠性、开关速度、效率、成本、重量和体积等方面都取得了巨大进展，给电力电子成套装置带来了新的飞跃。
5SHY4045L0001 3BHB018162R0001是将GTO芯片与反并联二极管和栅极驱动电路集成在一起，再与其栅极驱动器在外围以低电感方式连接,结合
了晶体管的稳定关断能力和晶闸管低通态损耗的优点，在导通阶段发挥晶闸管的性能，关断阶段呈现晶体管的特性。5SHY4045L0001
3BHB0181 62R0001具有电流大、电压高、开关频率高、可靠性高、结构紧凑、损耗低等特点，而且造成本低,成品率高,有很好的应用前景。
5SHY4045L0001 3BHB0181 62R0001采用晶闸管技术的GTO是常用的大功率轩关器件，它相对于采用晶体管技术的IGBT在截止电压上有更高的性
能，但旷泛应用的标准GTO驱动技术造成不均匀的开通和关断过程，需要高成本的dv/dt和di/dt吸收电路和较大功率的栅极驱动单元,因而造成可靠
性下降，价格较高,也不利于串联。5SHY4045L0001 3BHB018162R0001但是,在大功率MCT技术尚未成熟以前，IGCT已经成为高压大功率低频
交流器的优选方案。
电子邮件:sales@runshengdcs.com
2970592941@qq.com
电话:+86 15383419322（微信同号）
销售:曹经理
交货时间:现货，付款后3-5天
快递:联邦快递，EMS
状态:库存，全新
付款方式:电汇，30%定金，70%余款
价格:请联系我们进一步查询。所有报价都是不含税的出厂价。
备注:本设备不包括其他附件、手册、电缆、校准数据、软件等，除非在上述库存项目说明中列出。
作为进口自动化行业的专业贸易商
我们是专业销售PLC, DCS，转换器，I/O模块，人机接口。
最近，我们有更多的优势
ABB、GE、TRICONEX、FOXBORO、BENTLY、EMERSON、XYCOM、HONEYWELL、BENTLY、HIMA、YOKOGAWA、ROCKWELL、Allen-Bradley、RELIANCE、SCHNEIDER、MODICON、WESTINGHOUSE、WOODWAED、MOTOROLA、PROSOFT、REXROTH、ACSO………
