描述
半导体表面对环境气氛和接触材料很敏感。表面层对外来电荷(正的或负的电荷)的吸附引起表面能带的弯曲(向上或向下)，剧烈地影响半导体中光电子发射的特性。图3中的E表示表面能带向下弯曲的势能，实际有效电子亲和势xeff=x-E。如果E>x，则xeff就成为负值。负电子亲和势(NEA)材料(如GaAs、InGaAsP与Cs2O的接触)的光电子发射的量子产额相当可观，是发展半导体光阴极的重要基础。光电子器件可分为体光电子器件、正反向结光电子器件、异质结和多结光电子器件。
体光电子器件是结构上最简单的一类光电子器件。半导体材料吸收能量大于禁带宽度的入射光子，激发出非平衡电子-空穴对(称为本征激发)。它们在外场下参与导电,产生光电导。如属不均匀的表面激发,则光生载流子在有浓度梯度下的扩散将导致内场的建立，即光生伏电效应。扩散电流受磁场的作用而偏转，产生光磁电效应。依据这些物理效应已经制出各种波段(特别是红外波段)光电探测器，如InSb、HgCdTe光电探测器，在军事上已获得广泛应用。
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